Modeling recombination and contact resistance of poly-Si junctions
- verfasst von
- Nils Folchert, Robby Peibst, Rolf Brendel
- Abstract
We present a semi-analytical model for the calculation of the current through and the recombination in carrier-selective junctions consisting of a poly-Si/SiOx/c-Si layer stack. We calculate the recombination parameter J0 and the contact resistance ρC after solving the band-bending-problem on both sides of the interfacial oxide. Comparisons with finite-element simulations show that the current calculation is reliable at all bias conditions except for inversion and that current through pinholes is resolved adequately in the model. The model allows a coherent description of lifetime-, current-voltage- and capacitance-voltage measurements performed on a sample with dominant tunneling. We use our model to investigate the influence of oxide thickness and pinhole density on J0 and ρC of our state-of-the-art poly-silicon-on-oxide (POLO) junctions and demonstrate its usefulness for the optimization of poly-Si based junctions.
- Organisationseinheit(en)
-
Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Institut für Festkörperphysik
- Externe Organisation(en)
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Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
- Typ
- Artikel
- Journal
- Progress in Photovoltaics: Research and Applications
- Band
- 28
- Seiten
- 1289-1307
- Anzahl der Seiten
- 19
- ISSN
- 1062-7995
- Publikationsdatum
- 27.11.2020
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik
- Ziele für nachhaltige Entwicklung
- SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
- Elektronische Version(en)
-
https://doi.org/10.1002/pip.3327 (Zugang:
Geschlossen)
