Ion Implantation of As, P, B, BF and BF₂ on Planar and Alkaline-Textured Si(001) Surfaces for Photovoltaic Applications

verfasst von

Jan Krügener, Fabian Kiefer, Robby Peibst, H. Jörg Osten

Abstract

We compare the electrical behavior of different dopant species (As, P, B, BF, BF₂) on solar-relevant surfaces (alkaline textured and planar). We find significant differences when substituting B by BF or BF₂ as well as when using As instead of P. For the latter equivalent recombination behavior is observed, whereas the sheet resistance is higher when using As. The use of F containing p-type species leads to an increase in sheet resistance and saturation current density.

Organisationseinheit(en)

Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik

Externe Organisation(en)

Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)

Typ

Aufsatz in Konferenzband

Seiten

90-93

Anzahl der Seiten

4

Publikationsdatum

09.2018

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektrotechnik und Elektronik, Elektronische, optische und magnetische Materialien, Physik der kondensierten Materie

Ziele für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1109/iit.2018.8807962 (Zugang: Geschlossen)