P+/n+ polysilicon-on-oxide tunneling junctions as an interface of p-type PERC cells for tandem applications

verfasst von

Robby Peibst, Michael Rienäcker, Byungsul Min, Christina Klamt, Raphael Niepelt, Tobias Wietler, Thorsten Dullweber, Eduard Sauter, Jens Hübner, Michael Oestreich, Rolf Brendel

Abstract

We present a novel cell concept that combines the tandem cell approach with the PERC mainstream technology. As an interface between Si bottom and top cell, we utilize passivating \text{n} {mathbf {+}}-type polysilicon on oxide (POLO) contacts and a p+ poly-Si / n+ poly-Si tunneling junction. Our full area PERC+ Si bottom cells are fabricated within a typical industrial process {mathbf {sequence\, where\, the\, POCl}}3{mathbf {-diffusion\, and\, SiN}} \mathbf {x}deposition are replaced by the POLO junction formation processes. The implied {mathbf {open\, circuit\, voltage\, iV}} \mathbf {oc} measured on these devices reaches up to 708 mV (684 mV) under 1 sun (under filtered spectrum), respectively.

Organisationseinheit(en)

Institut für Festkörperphysik
Abt. Nanostrukturen

Externe Organisation(en)

Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)

Typ

Aufsatz in Konferenzband

Seiten

2635-2637

Anzahl der Seiten

3

Publikationsdatum

26.11.2018

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Energieanlagenbau und Kraftwerkstechnik, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Elektrotechnik und Elektronik, Elektronische, optische und magnetische Materialien

Ziele für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1109/pvsc.2018.8548032 (Zugang: Geschlossen)