Temperature of silicon wafers during in-line high-rate evaporation of aluminum

verfasst von
Christoph Mader, Michael Kessler, Ulrich Eitner, Rolf Brendel
Abstract

Knowing the substrate temperature during in-line high-rate Al deposition onto silicon solar cells is essential for understanding and improving the deposition process. We deposit 2 and 5 μm-thick aluminum layers at a dynamic deposition rate of 5 μm m/min onto 130 and 180 μm-thick, planar and pyramidally textured, p-type silicon wafers and measure the wafer temperature during the deposition. The temperature depends on the aluminum layer thickness, the wafer thickness, and the wafer emissivity. Two-dimensional finite-element simulations reproduce the measured peak temperatures with an accuracy of 3%.

Organisationseinheit(en)
Institut für Festkörperphysik
Externe Organisation(en)
Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
Typ
Artikel
Journal
Solar Energy Materials and Solar Cells
Band
95
Seiten
3047-3053
Anzahl der Seiten
7
ISSN
0927-0248
Publikationsdatum
11.2011
Publikationsstatus
Veröffentlicht
Peer-reviewed
Ja
ASJC Scopus Sachgebiete
Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Oberflächen, Beschichtungen und Folien
Ziele für nachhaltige Entwicklung
SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
Elektronische Version(en)
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2011.06.031 (Zugang: Geschlossen)