Temperature of silicon wafers during in-line high-rate evaporation of aluminum
- verfasst von
- Christoph Mader, Michael Kessler, Ulrich Eitner, Rolf Brendel
- Abstract
Knowing the substrate temperature during in-line high-rate Al deposition onto silicon solar cells is essential for understanding and improving the deposition process. We deposit 2 and 5 μm-thick aluminum layers at a dynamic deposition rate of 5 μm m/min onto 130 and 180 μm-thick, planar and pyramidally textured, p-type silicon wafers and measure the wafer temperature during the deposition. The temperature depends on the aluminum layer thickness, the wafer thickness, and the wafer emissivity. Two-dimensional finite-element simulations reproduce the measured peak temperatures with an accuracy of 3%.
- Organisationseinheit(en)
-
Institut für Festkörperphysik
- Externe Organisation(en)
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Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
- Typ
- Artikel
- Journal
- Solar Energy Materials and Solar Cells
- Band
- 95
- Seiten
- 3047-3053
- Anzahl der Seiten
- 7
- ISSN
- 0927-0248
- Publikationsdatum
- 11.2011
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Oberflächen, Beschichtungen und Folien
- Ziele für nachhaltige Entwicklung
- SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
- Elektronische Version(en)
-
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2011.06.031 (Zugang:
Geschlossen)