Dopant diffusion from p ⁺ -poly-Si into c-Si during thermal annealing

verfasst von

Jan Krugener, Yevgeniya Larionova, Dominic Tetzlaff, Bettina Wolpensinger, Sina Reiter, Mircea Turcu, Robby Peibst, Jan Dirk Kahler, Tobias Wietler

Abstract

Passivating junctions, like hole-collecting p-polycrystalline silicon/SiO _x /crystalline silicon junctions, need a thermal activation to activate their excellent passivation and contact properties. Here, the diffusion of boron from the highly doped poly-Si layer into the Si is often considered to compromise the passivation quality. In contrast we show that at least a slight diffusion of boron into the crystalline silicon is present for optimized annealing conditions. We achieve low emitter saturation current densities of 11 fA/cm ² for in situ p ⁺ doped polysilicon deposited by low pressure chemical vapor deposition. Furthermore, we show that the polysilicon layer and the in- diffused region within the substrate are electrically connected.

Organisationseinheit(en)

Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Laboratorium für Nano- und Quantenengineering

Externe Organisation(en)

Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
Centrotherm

Typ

Aufsatz in Konferenzband

Seiten

1140-1142

Anzahl der Seiten

3

Publikationsdatum

2017

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Elektrotechnik und Elektronik, Elektronische, optische und magnetische Materialien

Ziele für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1109/pvsc.2017.8366566 (Zugang: Geschlossen)