HVPE-Grown GaAs//Si Tandem Device Performance

verfasst von

Kaitlyn Vansant, John Simon, Manuel Schnabel, John Geisz, Kevin Schulte, Aaron Ptak, Michelle Young, David Guiling, Waldo Olavarria, Michael Rienaecker, Henning Schulte-Huxel, Raphael Niepelt, Sarah Kajari-Schroeder, Rolf Brendel, Robby Peibst, Adele Tamboli

Abstract

The performance of III-V//Si tandem devices has successfully exceeded the theoretical efficiency limit of single junction Si devices (29.4%) yet the costs associated with these high-efficiency tandem devices are still too high to compete with today's conventional Si solar cells. Recent cost modeling efforts suggest that hydride vapor phase epitaxy (HVPE) could be adopted as an alternative growth technique to metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) because the costs of HVPE are substantially lower and the performance of devices fabricated from HVPE materials are continuously improving. This study reports on our first results of a HVPE-grown GaAs top cell mechanically stacked on a Si bottom cell.

Externe Organisation(en)

Colorado School of Mines (CSM)
Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
National Renewable Energy Laboratory

Typ

Aufsatz in Konferenzband

Seiten

2776-2778

Anzahl der Seiten

3

Publikationsdatum

26.11.2018

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Energieanlagenbau und Kraftwerkstechnik, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Elektrotechnik und Elektronik, Elektronische, optische und magnetische Materialien

Ziele für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1109/PVSC.2018.8547889 (Zugang: Geschlossen)