Surface passivation of high-efficiency silicon solar cells by atomic-layer-deposited Al₂O₃

verfasst von

J. Schmidt, A. Merkle, R. Brendel, B. Hoex, M. C.M. Van De Sanden, W. M.M. Kessels

Abstract

Atomic-layer-deposited aluminium oxide (Al₂O₃) is applied as rear-surface-passivating dielectric layer to passivated emitter and rear cell (PERC)-type crystalline silicon (c-Si) solar cells. The excellent passivation of low-resistivity p-type silicon by the negative-charge-dielectric Al₂O₃ is confirmed on the device level by an independently confirmed energy conversion efficiency of 20 6%. The best results are obtained for a stack consisting of a 30 nm Al₂O₃ film covered by a 200 nm plasma-enhanced-chemical-vapour-deposited silicon oxide (SiO_x) layer, resulting in a rear surface recombination velocity (SRV) of 70cm/s. Comparable results are obtained for a 130 nm single-layer of Al ₂O₃, resulting in a rear SRV of 90 cm/s.

Externe Organisation(en)

Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
Eindhoven University of Technology (TU/e)

Typ

Artikel

Journal

Progress in Photovoltaics: Research and Applications

Band

16

Seiten

461-466

Anzahl der Seiten

6

ISSN

1062-7995

Publikationsdatum

09.2008

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik

Ziele für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1002/pip.823 (Zugang: Geschlossen)