Easy-to-use surface passivation technique for bulk carrier lifetime measurements on silicon wafers

verfasst von
Jan Schmidt, Armin G. Aberle
Abstract

A novel, easily applicable surface passivation technique is presented, which, in combination with contactless photocoductance decay (PCD) measurements, allows a quick estimation of the bulk carrier lifetime of crystalline silicon wafers. The proposed passivation technique requires neither a chemical pre-cleaning of the silicon wafer nor expensive instrumentation. On both surfaces of the wafer a thin varnish film is deposited using a spinner. Subsequently, both surfaces of the coated silicon wafer are charged by means of a corona chamber. Using microwave-detected PCD measurements, we experimentally demonstrate that this novel surface passivation scheme provides differential surface recombination velocities in the 30-70 cm s-1 range on p-as well as n-type silicon wafers.

Externe Organisation(en)
Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
Typ
Artikel
Journal
Progress in Photovoltaics: Research and Applications
Band
6
Seiten
259-263
Anzahl der Seiten
5
ISSN
1062-7995
Publikationsdatum
21.12.1998
Publikationsstatus
Veröffentlicht
Peer-reviewed
Ja
ASJC Scopus Sachgebiete
Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik
Ziele für nachhaltige Entwicklung
SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
Elektronische Version(en)
https://doi.org/10.1002/(SICI)1099-159X(199807/08)6:4<259::AID-PIP215>3.0.CO;2-Z (Zugang: Geschlossen)