Formation of highly aluminum-doped p-type silicon regions by in-line high-rate evaporation

verfasst von
Christoph Mader, Robert Bock, Jan Schmidt, Rolf Brendel
Abstract

Highly aluminum-doped p-type silicon regions are formed by in-line high-rate evaporation of aluminum. We deposit aluminum layers of 28 μm thickness at dynamic deposition rates of 20 μm×m/min on p-type silicon substrates. Due to the high substrate temperature of up to 770 °C during deposition an Al-doped p region is formed. Using the camera-based dynamic infrared lifetime mapping technique we measure emitter saturation current densities of 695±65 fA/cm2 for the fully metalized Al-p regions, which corresponds to an implied solar cell open-circuit voltage of 635±2 mV.

Externe Organisation(en)
Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
Typ
Artikel
Journal
Solar Energy Materials and Solar Cells
Band
95
Seiten
1720-1722
Anzahl der Seiten
3
ISSN
0927-0248
Publikationsdatum
07.2011
Publikationsstatus
Veröffentlicht
Peer-reviewed
Ja
ASJC Scopus Sachgebiete
Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Oberflächen, Beschichtungen und Folien
Ziele für nachhaltige Entwicklung
SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
Elektronische Version(en)
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2011.01.039 (Zugang: Geschlossen)