Formation of highly aluminum-doped p-type silicon regions by in-line high-rate evaporation
- verfasst von
- Christoph Mader, Robert Bock, Jan Schmidt, Rolf Brendel
- Abstract
Highly aluminum-doped p-type silicon regions are formed by in-line high-rate evaporation of aluminum. We deposit aluminum layers of 28 μm thickness at dynamic deposition rates of 20 μm×m/min on p-type silicon substrates. Due to the high substrate temperature of up to 770 °C during deposition an Al-doped p region is formed. Using the camera-based dynamic infrared lifetime mapping technique we measure emitter saturation current densities of 695±65 fA/cm2 for the fully metalized Al-p regions, which corresponds to an implied solar cell open-circuit voltage of 635±2 mV.
- Externe Organisation(en)
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Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
- Typ
- Artikel
- Journal
- Solar Energy Materials and Solar Cells
- Band
- 95
- Seiten
- 1720-1722
- Anzahl der Seiten
- 3
- ISSN
- 0927-0248
- Publikationsdatum
- 07.2011
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Oberflächen, Beschichtungen und Folien
- Ziele für nachhaltige Entwicklung
- SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
- Elektronische Version(en)
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https://doi.org/10.1016/j.solmat.2011.01.039 (Zugang:
Geschlossen)